NVGS3130NT1G - MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

codice articolo del costruttore

NVGS3130NT1G

Numero parte interna

ABC-NVGS3130NT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1254715 Pieces

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Specifiche per NVGS3130NT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVGS3130NT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 935pF @ 16V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 600mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Pacchetto / caso : SOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVGS , NVGS31

Documenti per NVGS3130NT1G

Schede tecniche : NVGS3130NT1G.pdf

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