R6030ENZ1C9 - MOSFET N-CH 600V 30A TO247

codice articolo del costruttore

R6030ENZ1C9

Numero parte interna

ABC-R6030ENZ1C9

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

132888 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per R6030ENZ1C9

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : R6030ENZ1C9

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 120W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per R6030ENZ1C9

Schede tecniche : R6030ENZ1C9.pdf

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