PMGD8000LN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

codice articolo del costruttore

PMGD8000LN,115

Numero parte interna

ABC-PMGD8000LN,115

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

48243 Pieces

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Specifiche per PMGD8000LN,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMGD8000LN,115

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 125mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.35nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 5V

Potenza - Max : 200mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSSOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMGD , PMGD800

Documenti per PMGD8000LN,115

Schede tecniche : PMGD8000LN,115.pdf

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