DMTH10H010LCT - MOSFET 100V 108A TO220AB

codice articolo del costruttore

DMTH10H010LCT

Numero parte interna

ABC-DMTH10H010LCT

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 100V 108A TO220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

361676 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per DMTH10H010LCT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMTH10H010LCT

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 100V 108A TO220AB

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 108A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53.7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2592pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.4W (Ta), 166W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMTH , DMTH10

Documenti per DMTH10H010LCT

Schede tecniche : DMTH10H010LCT.pdf

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