BUK9E1R6-30E,127 - MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

codice articolo del costruttore

BUK9E1R6-30E,127

Numero parte interna

ABC-BUK9E1R6-30E,127

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

45955 Pieces

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Specifiche per BUK9E1R6-30E,127

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BUK9E1R6-30E,127

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 16150pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 349W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BUK9E , BUK9E1R6

Documenti per BUK9E1R6-30E,127

Schede tecniche : BUK9E1R6-30E,127.pdf

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