BSS169 E6327 - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

codice articolo del costruttore

BSS169 E6327

Numero parte interna

ABC-BSS169 E6327

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

76761 Pieces

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Specifiche per BSS169 E6327

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSS169 E6327

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 7V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 68pF @ 25V

Caratteristica FET : Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max) : 360mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSS1 , BSS169

Documenti per BSS169 E6327

Schede tecniche : BSS169 E6327.pdf

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