VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

codice articolo del costruttore

VS-GB100TH120N

Numero parte interna

ABC-VS-GB100TH120N

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59181 Pieces

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Specifiche per VS-GB100TH120N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VS-GB100TH120N

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo IGBT : -

Configurazione : Half Bridge

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 200A

Potenza - Max : 833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A

Corrente - Limite del collettore (max) : 5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 8.58nF @ 25V

Ingresso : Standard

Termistore NTC : No

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore : Double INT-A-PAK

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VS-G , VS-GB10

Documenti per VS-GB100TH120N

Schede tecniche : VS-GB100TH120N.pdf

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