SIUD412ED-T1-GE3 - MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

codice articolo del costruttore

SIUD412ED-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIUD412ED-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8764889 Pieces

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Specifiche per SIUD412ED-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIUD412ED-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 500mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.71nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 21pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.25W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 0806

Pacchetto / caso : PowerPAK® 0806

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIUD4 , SIUD412E

Documenti per SIUD412ED-T1-GE3

Schede tecniche : SIUD412ED-T1-GE3.pdf

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