DMT6018LDR-13 - MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

codice articolo del costruttore

DMT6018LDR-13

Numero parte interna

ABC-DMT6018LDR-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2626680 Pieces

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Specifiche per DMT6018LDR-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMT6018LDR-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 869pF @ 30V

Potenza - Max : 1.9W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : V-DFN3030-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMT6 , DMT601

Documenti per DMT6018LDR-13

Schede tecniche : DMT6018LDR-13.pdf

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