AS4C16M16D1A-5TCN - IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

codice articolo del costruttore

AS4C16M16D1A-5TCN

Numero parte interna

ABC-AS4C16M16D1A-5TCN

fabbricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

252728 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per AS4C16M16D1A-5TCN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AS4C16M16D1A-5TCN

fabbricante : Alliance Memory, Inc.

Descrizione : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR

Dimensione della memoria : 256Mb (16M x 16)

Frequenza di clock : 200MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns

Tempo di accesso : 700ps

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 2.3V ~ 2.7V

temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 66-TSOP II

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AS4C1 , AS4C16M1

Documenti per AS4C16M16D1A-5TCN

Schede tecniche : AS4C16M16D1A-5TCN.pdf

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WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
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WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
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