AS4C32M16D1-5BIN - IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

codice articolo del costruttore

AS4C32M16D1-5BIN

Numero parte interna

ABC-AS4C32M16D1-5BIN

fabbricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

205280 Pieces

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Specifiche per AS4C32M16D1-5BIN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AS4C32M16D1-5BIN

fabbricante : Alliance Memory, Inc.

Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR

Dimensione della memoria : 512Mb (32M x 16)

Frequenza di clock : 200MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns

Tempo di accesso : 700ps

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 2.3V ~ 2.7V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 60-TFBGA (8x13)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AS4C3 , AS4C32M1

Documenti per AS4C32M16D1-5BIN

Schede tecniche : AS4C32M16D1-5BIN.pdf

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