SUD35N10-26P-T4GE3 - MOSFET N-CH 100V 35A TO252

codice articolo del costruttore

SUD35N10-26P-T4GE3

Numero parte interna

ABC-SUD35N10-26P-T4GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

588357 Pieces

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Specifiche per SUD35N10-26P-T4GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SUD35N10-26P-T4GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 12V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SUD35N , SUD35N10-

Documenti per SUD35N10-26P-T4GE3

Schede tecniche : SUD35N10-26P-T4GE3.pdf

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