PMDXB600UNEZ - MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

codice articolo del costruttore

PMDXB600UNEZ

Numero parte interna

ABC-PMDXB600UNEZ

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3157217 Pieces

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Specifiche per PMDXB600UNEZ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMDXB600UNEZ

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V

Potenza - Max : 265mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1010B-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMDX , PMDXB6

Documenti per PMDXB600UNEZ

Schede tecniche : PMDXB600UNEZ.pdf

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