MBR200150CTR - DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

codice articolo del costruttore

MBR200150CTR

Numero parte interna

ABC-MBR200150CTR

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

42144 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 35.453~~

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Specifiche per MBR200150CTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MBR200150CTR

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Serie : -

Stato parte : Active

Configurazione diodi : 1 Pair Common Anode

Diodo : Schottky

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 150V

Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) : 100A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 100A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 3mA @ 150V

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore : Twin Tower

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MBR2 , MBR200

Documenti per MBR200150CTR

Schede tecniche : MBR200150CTR.pdf

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