PSMN102-200Y,115 - MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

codice articolo del costruttore

PSMN102-200Y,115

Numero parte interna

ABC-PSMN102-200Y,115

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1018094 Pieces

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Specifiche per PSMN102-200Y,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PSMN102-200Y,115

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30.7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1568pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 113W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / caso : SC-100, SOT-669

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PSMN1 , PSMN102-

Documenti per PSMN102-200Y,115

Schede tecniche : PSMN102-200Y,115.pdf

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