NTTFS5116PLTWG - MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

codice articolo del costruttore

NTTFS5116PLTWG

Numero parte interna

ABC-NTTFS5116PLTWG

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2040927 Pieces

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Specifiche per NTTFS5116PLTWG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NTTFS5116PLTWG

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.7A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1258pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.2W (Ta), 40W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NTTF , NTTFS51

Documenti per NTTFS5116PLTWG

Schede tecniche : NTTFS5116PLTWG.pdf

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