AOW10N65 - MOSFET N-CH 650V 10A TO262

codice articolo del costruttore

AOW10N65

Numero parte interna

ABC-AOW10N65

fabbricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 10A TO262

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

842534 Pieces

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Specifiche per AOW10N65

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AOW10N65

fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 10A TO262

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1645pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 250W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-262

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per AOW10N65

Schede tecniche : AOW10N65.pdf

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