DMN2029USD-13 - MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

codice articolo del costruttore

DMN2029USD-13

Numero parte interna

ABC-DMN2029USD-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3713052 Pieces

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Specifiche per DMN2029USD-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN2029USD-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18.6nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1171pF @ 10V

Potenza - Max : 1.2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN2 , DMN202

Documenti per DMN2029USD-13

Schede tecniche : DMN2029USD-13.pdf

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