APTSM120AM55CT1AG - POWER MODULE - SIC

codice articolo del costruttore

APTSM120AM55CT1AG

Numero parte interna

ABC-APTSM120AM55CT1AG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

POWER MODULE - SIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

33507 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 71.0272~~

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Specifiche per APTSM120AM55CT1AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTSM120AM55CT1AG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : POWER MODULE - SIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 272nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5120pF @ 1000V

Potenza - Max : 470W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP1

Pacchetto dispositivo fornitore : SP1

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTSM , APTSM120

Documenti per APTSM120AM55CT1AG

Schede tecniche : APTSM120AM55CT1AG.pdf

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