BSG0811NDATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

codice articolo del costruttore

BSG0811NDATMA1

Numero parte interna

ABC-BSG0811NDATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

629699 Pieces

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Specifiche per BSG0811NDATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSG0811NDATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A, 41A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 12V

Potenza - Max : 2.5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TISON-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSG0 , BSG0811

Documenti per BSG0811NDATMA1

Schede tecniche : BSG0811NDATMA1.pdf

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