TK31V60W5,LVQ - MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

codice articolo del costruttore

TK31V60W5,LVQ

Numero parte interna

ABC-TK31V60W5,LVQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

332808 Pieces

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Specifiche per TK31V60W5,LVQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK31V60W5,LVQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30.8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 109 mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 240W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-DFN-EP (8x8)

Pacchetto / caso : 4-VSFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK31 , TK31V6

Documenti per TK31V60W5,LVQ

Schede tecniche : TK31V60W5,LVQ.pdf

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