STB16N65M5 - MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

codice articolo del costruttore

STB16N65M5

Numero parte interna

ABC-STB16N65M5

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

314874 Pieces

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Specifiche per STB16N65M5

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STB16N65M5

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Serie : MDmesh™ V

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 90W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STB , STB16

Documenti per STB16N65M5

Schede tecniche : STB16N65M5.pdf

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