RN1110MFV,L3F - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

codice articolo del costruttore

RN1110MFV,L3F

Numero parte interna

ABC-RN1110MFV,L3F

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22589707 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RN1110MFV,L3F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RN1110MFV,L3F

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : NPN - Pre-Biased

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V

Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione : -

Potenza - Max : 150mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore : VESM

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RN11 , RN1110

Documenti per RN1110MFV,L3F

Schede tecniche : RN1110MFV,L3F.pdf

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