NVD5865NLT4G - MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

codice articolo del costruttore

NVD5865NLT4G

Numero parte interna

ABC-NVD5865NLT4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49696 Pieces

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Specifiche per NVD5865NLT4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVD5865NLT4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 46A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta), 71W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVD5 , NVD586

Documenti per NVD5865NLT4G

Schede tecniche : NVD5865NLT4G.pdf

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