IXTU01N100 - MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

codice articolo del costruttore

IXTU01N100

Numero parte interna

ABC-IXTU01N100

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

353864 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IXTU01N100

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTU01N100

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.9nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 54pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-251

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IXTU01N100

Schede tecniche : IXTU01N100.pdf

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