PMDT290UNE,115 - MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

codice articolo del costruttore

PMDT290UNE,115

Numero parte interna

ABC-PMDT290UNE,115

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

5273044 Pieces

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Specifiche per PMDT290UNE,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMDT290UNE,115

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 800mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 83pF @ 10V

Potenza - Max : 500mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-666

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMDT , PMDT290

Documenti per PMDT290UNE,115

Schede tecniche : PMDT290UNE,115.pdf

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