TN0110N3-G-P002 - MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

codice articolo del costruttore

TN0110N3-G-P002

Numero parte interna

ABC-TN0110N3-G-P002

fabbricante

Microchip Technology

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

882749 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TN0110N3-G-P002

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TN0110N3-G-P002

fabbricante : Microchip Technology

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 350mA (Tj)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-92-3

Pacchetto / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TN011 , TN0110N

Documenti per TN0110N3-G-P002

Schede tecniche : TN0110N3-G-P002.pdf

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