IRF6709S2TR1PBF - MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

codice articolo del costruttore

IRF6709S2TR1PBF

Numero parte interna

ABC-IRF6709S2TR1PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

40640 Pieces

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Specifiche per IRF6709S2TR1PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF6709S2TR1PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 39A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 13V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta), 21W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET S1

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric S1

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF67 , IRF6709

Documenti per IRF6709S2TR1PBF

Schede tecniche : IRF6709S2TR1PBF.pdf

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