IRF100P219XKMA1 - TRENCHMOSFETS

codice articolo del costruttore

IRF100P219XKMA1

Numero parte interna

ABC-IRF100P219XKMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

TRENCHMOSFETS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

92592 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 4.04~~

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Specifiche per IRF100P219XKMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF100P219XKMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : TRENCHMOSFETS

Serie : StrongIRFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 278µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 12020pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 341W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AC

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF10 , IRF100P

Documenti per IRF100P219XKMA1

Schede tecniche : IRF100P219XKMA1.pdf

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