NSB8MTHE3/81 - DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

codice articolo del costruttore

NSB8MTHE3/81

Numero parte interna

ABC-NSB8MTHE3/81

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

48864 Pieces

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Specifiche per NSB8MTHE3/81

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NSB8MTHE3/81

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Serie : -

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V

Corrente: media rettificata (Io) : 8A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NSB8 , NSB8MT

Documenti per NSB8MTHE3/81

Schede tecniche : NSB8MTHE3/81.pdf

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