FDD2670 - MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK

codice articolo del costruttore

FDD2670

Numero parte interna

ABC-FDD2670

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

658651 Pieces

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Specifiche per FDD2670

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDD2670

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1228pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.2W (Ta), 70W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDD2670

Schede tecniche : FDD2670.pdf

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