DMN61D8LVTQ-13 - MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

codice articolo del costruttore

DMN61D8LVTQ-13

Numero parte interna

ABC-DMN61D8LVTQ-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3630893 Pieces

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Specifiche per DMN61D8LVTQ-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN61D8LVTQ-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V

Potenza - Max : 820mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : TSOT-26

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN6 , DMN61D8

Documenti per DMN61D8LVTQ-13

Schede tecniche : DMN61D8LVTQ-13.pdf

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