TK39N60X,S1F - MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

codice articolo del costruttore

TK39N60X,S1F

Numero parte interna

ABC-TK39N60X,S1F

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

114040 Pieces

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Specifiche per TK39N60X,S1F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK39N60X,S1F

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Serie : DTMOSIV-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 38.8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V

Caratteristica FET : Super Junction

Dissipazione di potenza (max) : 270W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK39 , TK39N6

Documenti per TK39N60X,S1F

Schede tecniche : TK39N60X,S1F.pdf

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