HAT2299WP-EL-E - MOSFET N-CH WPAK

codice articolo del costruttore

HAT2299WP-EL-E

Numero parte interna

ABC-HAT2299WP-EL-E

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH WPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

86944 Pieces

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Specifiche per HAT2299WP-EL-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HAT2299WP-EL-E

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH WPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 25W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-WPAK

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HAT2 , HAT2299

Documenti per HAT2299WP-EL-E

Schede tecniche : HAT2299WP-EL-E.pdf

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