1N5406G B0G - DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

codice articolo del costruttore

1N5406G B0G

Numero parte interna

ABC-1N5406G B0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8118173 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per 1N5406G B0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N5406G B0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 3A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-201AD

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N5 , 1N540

Documenti per 1N5406G B0G

Schede tecniche : 1N5406G B0G.pdf

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