FESB16JT-E3/45 - DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

codice articolo del costruttore

FESB16JT-E3/45

Numero parte interna

ABC-FESB16JT-E3/45

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

357728 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FESB16JT-E3/45

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FESB16JT-E3/45

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 16A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 16A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 145pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FESB , FESB16J

Documenti per FESB16JT-E3/45

Schede tecniche : FESB16JT-E3/45.pdf

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