NP100P06PDG-E1-AY - MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

codice articolo del costruttore

NP100P06PDG-E1-AY

Numero parte interna

ABC-NP100P06PDG-E1-AY

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50336 Pieces

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Specifiche per NP100P06PDG-E1-AY

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NP100P06PDG-E1-AY

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta), 200W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NP100 , NP100P06

Documenti per NP100P06PDG-E1-AY

Schede tecniche : NP100P06PDG-E1-AY.pdf

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