IS43DR16320E-3DBLI - IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

codice articolo del costruttore

IS43DR16320E-3DBLI

Numero parte interna

ABC-IS43DR16320E-3DBLI

fabbricante

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Breve descrizione

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

135032 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IS43DR16320E-3DBLI

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IS43DR16320E-3DBLI

fabbricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria : 512Mb (32M x 16)

Frequenza di clock : 333MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns

Tempo di accesso : 450ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.9V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 84-TWBGA (8x12.5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IS43DR , IS43DR163

Documenti per IS43DR16320E-3DBLI

Schede tecniche : IS43DR16320E-3DBLI.pdf

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