VS-2EGH01-M3/5BT - DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

codice articolo del costruttore

VS-2EGH01-M3/5BT

Numero parte interna

ABC-VS-2EGH01-M3/5BT

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3984225 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per VS-2EGH01-M3/5BT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VS-2EGH01-M3/5BT

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Serie : FRED Pt®

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 2A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 2A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 23ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 2µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AA (SMBJ)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VS-2E , VS-2EGH0

Documenti per VS-2EGH01-M3/5BT

Schede tecniche : VS-2EGH01-M3/5BT.pdf

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