TK90S06N1L,LQ - MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

codice articolo del costruttore

TK90S06N1L,LQ

Numero parte interna

ABC-TK90S06N1L,LQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

719383 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TK90S06N1L,LQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK90S06N1L,LQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5400pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 157W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK90 , TK90S0

Documenti per TK90S06N1L,LQ

Schede tecniche : TK90S06N1L,LQ.pdf

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