MSRT20060(A)D - DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

codice articolo del costruttore

MSRT20060(A)D

Numero parte interna

ABC-MSRT20060(A)D

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

38208 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per MSRT20060(A)D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MSRT20060(A)D

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Serie : -

Stato parte : Active

Configurazione diodi : 1 Pair Series Connection

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) : 200A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore : Three Tower

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MSRT , MSRT20

Documenti per MSRT20060(A)D

Schede tecniche : MSRT20060(A)D.pdf

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