SISA01DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

codice articolo del costruttore

SISA01DN-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SISA01DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1634451 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.200265~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha SISA01DN-T1-GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SISA01DN-T1-GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SISA01DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISA01DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 22.4A (Ta), 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V

Vgs (massimo) : +16V, -20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3490pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISA0 , SISA01D

Documenti per SISA01DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISA01DN-T1-GE3.pdf

Prodotti correlati per SISA01DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 20KV SCREW.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	Ceramic Capacitors 52PF 400VAC SL RADIAL.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 220PF 100V BP 1805.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10000PF 100V BP 1825.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 0.022UF 50V X7R 1206.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.9PF 50V NP0 0201.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2200PF 14KV.
PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8000PF 15KV R230 DISK.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7000PF 15KV R230 DISK.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
C0805C154KMREC	KEMET	Ceramic Capacitors 0805 150NF 63V X7R 10.