TSM110NB04CR RLG - MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

codice articolo del costruttore

TSM110NB04CR RLG

Numero parte interna

ABC-TSM110NB04CR RLG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2401504 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.1363~~

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Specifiche per TSM110NB04CR RLG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM110NB04CR RLG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 54A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1443pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta), 68W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM11 , TSM110NB

Documenti per TSM110NB04CR RLG

Schede tecniche : TSM110NB04CR RLG.pdf

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