IRF6607 - MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

codice articolo del costruttore

IRF6607

Numero parte interna

ABC-IRF6607

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

105096 Pieces

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Specifiche per IRF6607

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF6607

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 94A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6930pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.6W (Ta), 42W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ MT

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric MT

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IR , IRF

Documenti per IRF6607

Schede tecniche : IRF6607.pdf

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