STP18N65M2 - MOSFET N-CH 650V 12A TO220

codice articolo del costruttore

STP18N65M2

Numero parte interna

ABC-STP18N65M2

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

280959 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per STP18N65M2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STP18N65M2

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 12A TO220

Serie : MDmesh™ M2

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 110W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per STP18N65M2

Schede tecniche : STP18N65M2.pdf

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