MT41K256M16V90BWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE

codice articolo del costruttore

MT41K256M16V90BWC1

Numero parte interna

ABC-MT41K256M16V90BWC1

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

90016 Pieces

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Specifiche per MT41K256M16V90BWC1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MT41K256M16V90BWC1

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria : 4Gb (256M x 16)

Frequenza di clock : -

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.283V ~ 1.45V

temperatura di esercizio : 0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio : -

Pacchetto / caso : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MT41K2 , MT41K256M

Documenti per MT41K256M16V90BWC1

Schede tecniche : MT41K256M16V90BWC1.pdf

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