FDB0260N1007L - MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

codice articolo del costruttore

FDB0260N1007L

Numero parte interna

ABC-FDB0260N1007L

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

191368 Pieces

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Specifiche per FDB0260N1007L

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDB0260N1007L

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 118nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8545pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263)

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDB0 , FDB026

Documenti per FDB0260N1007L

Schede tecniche : FDB0260N1007L.pdf

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