ISL9R860S3ST - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

codice articolo del costruttore

ISL9R860S3ST

Numero parte interna

ABC-ISL9R860S3ST

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

715029 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per ISL9R860S3ST

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ISL9R860S3ST

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Serie : Stealth™

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 8A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.4V @ 8A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB (D²PAK)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ISL9 , ISL9R8

Documenti per ISL9R860S3ST

Schede tecniche : ISL9R860S3ST.pdf

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