FF23MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

codice articolo del costruttore

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Numero parte interna

ABC-FF23MR12W1M1B11BOMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

48909 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FF23MR12W1M1B11BOMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FF23MR12W1M1B11BOMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

Serie : CoolSiC™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 125nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3950pF @ 800V

Potenza - Max : 20mW

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FF23MR , FF23MR12W1

Documenti per FF23MR12W1M1B11BOMA1

Schede tecniche : FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

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