SIZ730DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

codice articolo del costruttore

SIZ730DT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZ730DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

47931 Pieces

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Specifiche per SIZ730DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZ730DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A, 35A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 15V

Potenza - Max : 27W, 48W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-PowerPair™

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-PowerPair™

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZ73 , SIZ730D

Documenti per SIZ730DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZ730DT-T1-GE3.pdf

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